Laser diode
文献类型：专利
| 作者 | IWATA, HIROSHI |
| 发表日期 | 1994-08-17 |
| 专利号 | EP0610893A2 |
| 著作权人 | NEC CORPORATION |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Laser diode |
| 英文摘要 | A laser diode suitable for blue-green light emission utilizing type II heterojuctions of II-VI compound semiconductors. The laser diode comprises a layer 24 for confining electrons, a layer 26 for confining holes, and a quantum well layer which is formed bewteen the electron confinement layer 24 and the hole confinement layer 26 and allows the confined electrons and holes to recombine therein. The laser also comprises an electron barrier layer 23 and a hole barrier layer 27 for preventing diffusion of the electrons and holes beyond the barriers. The light emitted by the recombination is confined between the n -cladding layer 22 and a p-cladding layer 28. |
| 公开日期 | 1994-08-17 |
| 申请日期 | 1994-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74676]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IWATA, HIROSHI. Laser diode. EP0610893A2. 1994-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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