分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史; 中島 眞一 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP3106852B2 |
| 著作权人 | 横河電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】選択成長を利用し、活性層が平坦で屈折率差を小さく制御することが可能で、しかも自己整合可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【構成】基板上に、少なくとも分布帰還を得るための回折格子と、横方向に平坦な活性層と、この活性層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けた光閉じ込め層と、この光閉じ込め層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けられ横モード閉じ込めのためにストライプ状に形成されたリブ層と、上下方向に光を閉じ込める低屈折率のクラッド層と、このクラッド層と同じ屈折率を有し前記リブ層の側面に形成され側面が (111)である電流狭窄層を有し、前記リブ層の屈折率は前記クラッド層に比べて高く設定されると共に、前記リブ層のエッチング深さはリブ層の横幅より浅くなるように形成する。 |
| 公开日期 | 2000-11-06 |
| 申请日期 | 1994-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74678]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 横河電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史,中島 眞一. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP3106852B2. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。