半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 信之; 松井 康; 堀 義和 |
| 发表日期 | 1993-04-16 |
| 专利号 | JP1993095161A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 分布帰還型半導体レーザに関するもので、特にグレーティングにλ/4シフト構造を作製することなしに安定した単一モード発振が得られ、さらにサイドモード抑圧比を最大とすることができるグーティング形状を提供するものであり、片端面反射コーティングによる高光出力化を実現した半導体レーザの構造および製造方法を提供するものである。 【構成】 n-InP基板1上に、異なる周期を持つ分布帰還型回折格子2と4を形成したInGaAsP(λ=3μm)導波路層5、InGaAsP(λ=55μm)活性層6、p-n-pInP埋め込み層7、p-InGaAsP(λ=3μm)キャップ層8、蒸着によりAu/Znp側電極9、Au-Sn n側電極10よりなる。最後に多層反射膜11、無反射膜12を堆積しレーザ構造を得る。 |
| 公开日期 | 1993-04-16 |
| 申请日期 | 1991-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74683]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,松井 康,堀 義和. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993095161A. 1993-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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