半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平塚 健二 |
| 发表日期 | 2010-02-18 |
| 专利号 | JP2010040649A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子特性の向上が図られた半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子10の製造方法においては、O2プラズマ酸化処理によって、エッチングにより露出したAlを含む活性層16の側面16aに酸化膜32が形成される。この酸化膜32は、自然酸化膜の厚さに比べて十分に厚いため、その後のエッチング除去のステップの際に、酸化膜32を高い精度で除去することができる。その結果、活性層側面16aが清浄な状態となり、この状態で活性層側面16aをクラッド層18で覆うことで、クラッド層18における結晶欠陥の発生が抑制されるため、作製される半導体発光素子10の素子特性が向上する。 【選択図】図6 |
| 公开日期 | 2010-02-18 |
| 申请日期 | 2008-08-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平塚 健二. 半導体発光素子の製造方法. JP2010040649A. 2010-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。