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半導体レーザ

文献类型:专利

作者木戸口 勲; 伊藤 啓司; 矢島 浩義; 持田 篤範
发表日期2006-04-20
专利号JP2006108139A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】 リッジストライプ構造を有する構成において、単一な水平横モードのレーザ光発振が実施できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 第1クラッド層と第2クラッド層にエッチング停止層が挿設されてなるクラッド層と絶縁層とが、活性層上に順次積層されており、且つ、リッジストライプ構造を有している窒化物系半導体レーザ10であって、前記活性層から発光されるレーザ波長における前記エッチング停止層の屈折率と前記絶縁層の屈折率との差が0以上0.4以下となる構成とする。 【選択図】図1
公开日期2006-04-20
申请日期2004-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74712]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
木戸口 勲,伊藤 啓司,矢島 浩義,等. 半導体レーザ. JP2006108139A. 2006-04-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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