半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 大枝 靖雄; 藤本 毅; 渋谷 博; 内藤 由美 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083070A |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 特性温度および連続発振状態の最大出力を大幅に向上できる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAsから成る基板上に、n型クラッド層(Al組成X=0.48)11、n型導波層(X=0.31)12、n型キャリアブロック層13(X=0.5)、活性層20、p型キャリアブロック層(X=0.5)17、p型導波層(X=0.31)18、およびp型クラッド層(X=0.48)19を順次形成している。また、活性層20はバリア層(X=0.37)16と、2本の量子井戸層15と、量子井戸層15の外側で各キャリアブロック層13、17に最隣接するサイドバリア層14(X=0.37)とで構成される。サイドバリア層14のエネルギーギャップEG1、キャリアブロック層13、17のエネルギーギャップEG2、導波層12、18のエネルギーギャップEG3は、EG2≧EG1>EG3が成立する。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1996-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74718]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大枝 靖雄,藤本 毅,渋谷 博,等. 半導体レーザ素子. JP1997083070A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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