半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 窪田 晋一 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236862A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置に関し、簡単な製造工程によってレーザの基本的特性を劣化させることなく、光ファイバとの光学的結合を容易にするビームサイズ変換器を一体化する。 【構成】 基板1上に一導電型の第1クラッド層2、第1光導波路層3、一導電型の第2クラッド層4、活性層を含む第2光導波路層5、及び、光軸方向において一部が欠落したメサストライプ状のリッジ8を有する反対導電型のクラッド層6,7とを順次積層させ、リッジの幅Wが一定で長さL1 のレーザ領域10、リッジの幅が光軸方向にテーパ状になった長さL2 のテーパ領域11、及び、リッジの欠落した長さL3 の方向性結合器領域12を一体的に形成する。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74738]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窪田 晋一. 半導体レーザ装置. JP1996236862A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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