半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 石坂 祥司; 室 清文; 藤本 毅; 山田 義和 |
| 发表日期 | 1996-03-12 |
| 专利号 | JP1996070162A |
| 著作权人 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 弱導波レーザ、LOC構造レーザが有していた導波モードの制御デバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図ると同時に短波長での出力増加、特性温度の向上を図る。 【構成】 素子面から垂直方向に形成された活性層の断面両外方にキャリアブロック層を設け、この活性層は一層または複数層の量子井戸層がバリア層および/またはサイドバリア層に挟まれた構造とし、前記キャリアブロック層の断面両外方に導波層を設け、この導波層はクラッド層で挟んだ構造とし、前記量子井戸層の組成は、AlXGa1-XAs(0≦x≦0.2)とし、前記キャリアブロック層の組成は(AlyGa1-y)ZIn1-ZP(0≦y<0.3,0.20≦Z≦0.83)とした。 |
| 公开日期 | 1996-03-12 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石坂 祥司,室 清文,藤本 毅,等. 半導体レーザ素子. JP1996070162A. 1996-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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