窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 西本 浩之 |
| 发表日期 | 2009-04-30 |
| 专利号 | JP2009094386A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】基板ウエハ上に堆積される発光層を含む窒化物半導体多層膜中のクラック発生を防止し、かつそのウエハから得られる複数の窒化物半導体レーザ素子における発振波長の均一性を高めてレーザ素子歩留まりを改善する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、少なくとも上面が窒化物半導体である基板と、その基板の上面上に形成されていてストライプ状のレーザ光導波路構造を含む窒化物半導体多層膜とを備え、基板の上面は106cm-2以下の低い欠陥密度の領域と凹部とを有し、レーザ光導波路構造は基板の上面の凹部から外れた低欠陥密度領域の上方に位置し、基板はその上面の凹部に対応してその下面にも凹部を有することを特徴としている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-04-30 |
| 申请日期 | 2007-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74768]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西本 浩之. 窒化物半導体レーザ素子. JP2009094386A. 2009-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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