窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-08-02 |
| 专利号 | JP3334624B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光のアスペクト比を約0〜3.0と円形に近い形状にし、レーザ光を用いた製品の作製にあたって、レーザビームの絞りやレンズ設計が容易となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 p側及びn側のクラッド層12、7の間に、活性層9を含む導波路領域を有し、p側クラッド層12の上にp側コンタクト層13が積層されてなり、p側コンタクト層13側からp側クラッド層12と導波路領域との界面よりも基板1側にかけてエッチングして形成された幅0.5〜2.0μmのリッジ形状のストライプを有し、ストライプの両側面及びその側面と連続した窒化物半導体層の平面に、屈折率が活性層の屈折率より小さい値を有する絶縁膜を有し、ストライプの最上層にあるp側コンタクト層13の表面全面に接するようにp電極20が設けられている。 |
| 公开日期 | 2002-10-15 |
| 申请日期 | 1998-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74776]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3334624B2. 2002-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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