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文献类型：专利
| 作者 | YAMAMOTO SABURO |
| 发表日期 | 1993-08-09 |
| 专利号 | JP1993053316B2 |
| 著作权人 | SHARP KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | - |
| 英文摘要 | PURPOSE:To reduce the threshold current, by making a buried layer contacting with an active layer high-resistive. CONSTITUTION:On the V-channel groove 7 of a VSIS laser applying a p-type GaAs substrate 1, a mesa etching which reaches an n-GaAs current blocking layer 6 from the surface of a cap layer 5 is performed, and the groove width w of a channel and the mesa width W are so made that w |
| 公开日期 | 1993-08-09 |
| 申请日期 | 1986-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAMOTO SABURO. -. JP1993053316B2. 1993-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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