Semiconductor laser element
文献类型：专利
| 作者 | IJICHI TETSURO; KIKUTA TOSHIO |
| 发表日期 | 1992-11-10 |
| 专利号 | JP1992320082A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To improve the laser characteristics by providing a distortion quantum well semiconductor laser element not containing Al with a light confinement layer having a GRIN structure. CONSTITUTION:In a semiconductor laser element where an active layer 26 consisting of an InYGa1-YP(0.495<=Y<=0.530) clad layer 23, a light confinement layer 24, and an InXGa1-XAs distortion quantum well layer, a light confinement layer 28, and an InYGa1-XP clad layer are laminated in order, the light confinement layers 24, 28 are composed of superlattice GRIN layers consisting of GaAs/InYGa1-YP. |
| 公开日期 | 1992-11-10 |
| 申请日期 | 1991-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74792]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IJICHI TETSURO,KIKUTA TOSHIO. Semiconductor laser element. JP1992320082A. 1992-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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