半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 治夫; 中田 直太郎; 虫上 雅人; 石田 ▲祐▼士; 深田 速水 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264906A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電気的性質および光学的性質を向上せしめる半導体レーザと、前述の特性を有する半導体レーザの形状を再現性良くしかも容易に製造せしめると共に、製造歩留りを向上しうる半導体レーザの製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体レーザにおいて、第1上部クラッド層と第2上部クラッド層との間に介在させた30Å〜40Åの膜厚を有する保護層でもって量子効果をきかせ、この保護層に活性層と同等又はそれ以上のバンドギャップを持たせることを特徴とする。一方、半導体レーザの製造方法において、エッチング工程で保護層のみを選択的に残して、第1上部クラッド層にパシベーション効果を持たせることにより、第1上部クラッド層の表面に不純物を直接付着させず、比較的簡単なサーマルクリーニング工程で前記不純物を蒸発させることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1985-01-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 治夫,中田 直太郎,虫上 雅人,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1996264906A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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