半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川間 吉竜 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097588A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リーク電流の少ない高効率の埋め込みヘテロ型半導体レーザ(BHレーザ)を、少ない工程で再現性よく得ることができる半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 n型InP基板1上にInGaAsP活性層12,p型InPクラッド層13を順次結晶成長した後、これらにエッチングを施して〈0,1,1〉方向にストライプ状のリッジを形成し、次いで、この状態でp型InPブロック層5(p型InPクラッド層4),n型ブロック層6をこの順に(1,1,1)B面が保存される成長条件で結晶成長させ、更に、p型InPクラッド層7をn型InP基板1の全面を覆うように結晶成長させる。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74799]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川間 吉竜. 半導体レーザの製造方法. JP1994097588A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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