半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成 |
| 发表日期 | 1999-08-27 |
| 专利号 | JP1999233896A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ端面での光吸収を窓構造を採用することで長期間にわたって安定に抑制し、しかも、不活性化層を誘電体又は誘電体と半導体の組合せからなるコーティング層との間に挿入することで、長期安定な端面を実現し、さらには不活性化層の拡散が起こった際にも安定に動作する半導体レーザを、簡便な方法で実現可能とする。 【解決手段】 基板上に、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層が形成されてなり、共振器構造を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に化合物半導体層を順次結晶成長し、劈開により共振器端面を形成し、次いで、少なくとも1つの端面に露出した、少なくとも活性層の端面近傍の構成元素の一部を脱離させた後、真空中で不活性化層を形成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-08-27 |
| 申请日期 | 1998-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 半導体発光素子の製造方法. JP1999233896A. 1999-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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