半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮坂 文人; 堀田 等; 五明 明子 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252506A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸活性層または多重量子障壁層を有するAlGaInP半導体レーザにおいて、量子井戸層、多重量子障壁層の層厚揺らぎを低減し、閾値電流の低減、信頼性の向上を図る。 【構成】 半導体基板面方位が(001)より[1,1,0]または[-1,-1,0]方向に2゜から13゜傾いた傾斜基板1を用いた量子井戸活性層3を有するAlGaInP半導体レーザのMOVPE法による製造方法において、結晶成長時のV/III比を1000以上に高める。前記傾斜基板を用いた場合、通常の150から500程度のV/III比では均一なステップフロー成長ができずステップバンチングが顕著に起こり、量子井戸層の層厚揺らぎが生じるため、閾値電流が上昇し、信頼性が悪化する。結晶成長時のV/III比を1000以上に高めることにより、均一なステップフロー成長によりステップバンチングが低減し、量子井戸層の平坦化が可能となり、量子効果の増大により閾値電流の低減、信頼性の向上を図ることができる。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74812]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人,堀田 等,五明 明子. 半導体レーザの製造方法. JP1994252506A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。