半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 丹羽 敦子; 大歳 創; 辻 伸二 |
| 发表日期 | 1995-10-03 |
| 专利号 | JP1995254755A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】p側電極のオーム性接触を可能にし、特性が安定で、短波長発光可能なII‐VI族半導体発光素子を提供すること。 【構成】上記目的は、少なくともII‐VI族化合物半導体によって構成し、p型 InP 基板上に導電型がp型であるクラッド層と活性層と導電型がn型であるクラッド層とをエピタキシャル成長させてなる半導体発光素子において、上記p型 InP 基板と上記活性層との間に Teを含む中間層を少なくとも1層設けたことを特徴とする半導体発光素子とすることによって達成することができる。 【効果】これによって、高密度光ディスク用光源、LED 代替光源、高感度レーザプリンタ用光源、ディスプレイ用光源などに適用できる半導体発光素子が得られる。 |
| 公开日期 | 1995-10-03 |
| 申请日期 | 1994-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74832]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹羽 敦子,大歳 創,辻 伸二. 半導体発光素子. JP1995254755A. 1995-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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