半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 冨谷 茂隆; 小沢 正文; 伊藤 哲; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 1997-05-06 |
| 专利号 | JP1997121073A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低動作電圧で長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型GaAs基板1上にp型Alx Ga1-x Asバッファ層2およびp型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3を順次積層し、その上にp型ZnSeバッファ層5、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSSe光導波層8、ZnCdSe活性層9、n型ZnSSe光導波層10、n型ZnMgSSeクラッド層11などのII-VI族化合物半導体層を積層することにより構成される半導体発光素子において、p型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3とp型ZnSeバッファ層5との間にp型GaAs結晶欠陥発生抑制層4を設ける。 |
| 公开日期 | 1997-05-06 |
| 申请日期 | 1995-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷 茂隆,小沢 正文,伊藤 哲,等. 半導体発光素子. JP1997121073A. 1997-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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