半導体レ—ザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 伴 雄三郎; 服藤 憲司; 木戸口 勲; 上山 智; 辻村 歩; 宮永 良子; 石橋 明彦; 長谷川 義晃 |
| 发表日期 | 2000-03-14 |
| 专利号 | JP2000077795A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 紫外領域においても低しきい値で且つ温度特性が優れる半導体レーザ装置を実現できるようにする。 【解決手段】 サファイアからなる基板11上に、n型GaNからなるn型コンタクト層13と、n型Al0.35Ga0.65Nからなるn型クラッド層14とが形成されている。n型クラッド層14上には、Al0.2 Ga0.8 N/Al0.25Ga0.75Nからなる多重量子井戸活性層15と、p型Al0.5 Ga0.5 N0.975 P0.025 からなるp型リークバリア層16と、p型Al0.4 Ga0.6 N0.98P0.02からなるp型クラッド層17とが順次形成されている。p型リークバリア層16のエネルギーギャップはn型クラッド層14よりも大きく、且つ、p型リークバリア層16及びp型クラッド層17は、エネルギーギャップを大きく維持しながらアクセプタ準位を浅くできるリンが添加されていることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 申请日期 | 1999-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74864]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,伴 雄三郎,服藤 憲司,等. 半導体レ—ザ装置. JP2000077795A. 2000-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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