半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 藤森 俊成; 長尾 哲; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 2005-06-24 |
| 专利号 | JP3689733B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジまたはグルーブを有する半導体発光素子の一層の多様化を図り、任意の混晶比のAlY Ga1-Y Asからなる層をウェットエッチングして所望の形状のリッジ又はグルーブを正確に形成する。 【構成】 基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2005-08-31 |
| 申请日期 | 1995-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74866]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,藤森 俊成,長尾 哲,等. 半導体素子の製造方法. JP3689733B2. 2005-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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