半導体光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 金武 達郎; 鈴木 誠; 西村 信治; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 1996-10-18 |
| 专利号 | JP1996274368A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】絶縁膜による効果的な電流狭窄構造を有し、かつ、電極との十分大きな接触面積を確保できる半導体光素子、およびそのような半導体光素子を容易に形成できる製造方法を提供する。 【構成】半導体基板102の表面上に、ストライプ状の溝を有する誘電体膜112が形成され、このストライプ状の溝によって露出された上記半導体基板102の表面上に、半導体バッフア層103、半導体活性層104および半導体クラッド層105が順次積層され、上記半導体クラッド層105は、逆台形の断面形状を有している。 【効果】半導体クラッド層105の断面形状が逆台形であるため、半導体キャップ層との接触面積を十分大きくなり、また、半導体活性層104の幅が絶縁膜112に設けられた溝によって規定されるため、半導体活性層104以外の部分に漏れる電流は効果的に抑制される。 |
| 公开日期 | 1996-10-18 |
| 申请日期 | 1995-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74880]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金武 達郎,鈴木 誠,西村 信治,等. 半導体光素子およびその製造方法. JP1996274368A. 1996-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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