半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 西片 一昭; 清水 均; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1998-06-02 |
| 专利号 | JP1998150239A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層を直接加工することなしに、等価的に埋め込み型の半導体レーザ素子を作製することができ、特にAlを活性層に含む素子の信頼性が向上する半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】 n型基板11上に、少なくともn型クラッド層12、(歪)量子井戸からなる活性層13、第1p型クラッド層14が順次積層された半導体レーザ素子であって、第1p型クラッド層14はリッジストライプ部を有し、リッジストライプ部の両側の第1p型クラッド層14上には、第1p型クラッド層14のp型ドーパントよりも拡散係数の大きいp型ドーパントを含む第2p型クラッド層17が積層され、リッジストライプ部の直下の領域を除く領域の活性層13は、第2p型クラッド層17からのp型ドーパントの熱拡散により混晶化されて、混晶化領域19となっている。 |
| 公开日期 | 1998-06-02 |
| 申请日期 | 1996-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,西片 一昭,清水 均,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1998150239A. 1998-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。