半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-07-08 |
| 专利号 | JP1994188511A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 端面劣化を抑制した、リッジ導波路型の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 反射率が異なる共振器端面を有し、活性層5上にリッジメサを有する半導体レーザ素子において、リッジメサを反射率の低い方の共振器端面近傍の領域を除いて形成し、該領域の少なくとも一部分には電流非注入構造12を設ける。 |
| 公开日期 | 1994-07-08 |
| 申请日期 | 1992-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74911]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄,菊田 俊夫. 半導体レーザ素子. JP1994188511A. 1994-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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