半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 森田 剛徳; 田中 和典; 菅 博文 |
| 发表日期 | 2005-07-29 |
| 专利号 | JP3703927B2 |
| 著作权人 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流が低く、発光効率の高いTJS型半導体レーザ素子を提供する【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1に低濃度Siドープn型Al0.42Ga0.58As下部クラッド層2、高濃度Siドープn型GaAs活性層3、高濃度Siドープn型Al0.42Ga0.58As上部クラッド層4、高濃度Siドープn型GaAsキャップ層5がMOCVD法により順次成長させる事により形成されている。各層の面方向に、p領域9、p+領域10が設けられ、p+-p-n接合が形成されている。上部クラッド層4を形成する際に、78を超えるV/III比を用いている。これにより、上部クラッド層4のSi濃度が低く抑えられ、上部クラッド層4-活性層3間のGa-Al相互拡散が減少するため、しきい値電流の低下と発光効率の向上が図れる。 |
| 公开日期 | 2005-10-05 |
| 申请日期 | 1996-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 剛徳,田中 和典,菅 博文. 半導体レーザ素子. JP3703927B2. 2005-07-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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