半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 勝山 造 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037068A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】同一基板上に多波長半導体レーザを形成する。 【構成】半導体基板101上に、クラッド層103,107と、これらのクラッド層103,107に挟まれ、これらのクラッド層103,107よりも屈折率が大きく、通電することで量子井戸レーザ発振する活性層105と、この活性層105の近傍に電流の流れを遮り活性層105の通電領域を制限する複数の電流ブロック層108a,108b,108c,108dとを設け、活性層102の通電領域で量子井戸レーザ共振器で構成する。ここで、電流ブロック層108a,108b,108c,108dの間隔が違ったものになっており、異なった電流ストライプ幅をなしている。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74928]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 勝山 造. 半導体レーザ. JP1993037068A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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