半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 梶川 靖友; 永井 豊; 川崎 和重 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026866A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層の共振器端面の窓構造領域となる相互拡散領域への電流注入が非常に少ない半導体レーザ及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 レーザ共振器端面近傍の,量子井戸構造を有する活性層3と第1上クラッド層4及び下クラッド層2の活性層3の近傍部分とを含む領域に、下クラッド層2側がZnイオン注入領域8aからなり、第1上クラッド層4側の領域がSiイオン注入領域8bからなる電流非注入領域8を設けるとともに、この電流非注入領域8内の活性層3をアニールによって相互拡散させて、バンドギャップエネルギーが活性層3の他の領域よりも大きい窓構造領域とした。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74930]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶川 靖友,永井 豊,川崎 和重. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999026866A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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