半導体発光素子
文献类型:专利
作者 | 尺田 幸男 |
发表日期 | 1999-10-08 |
专利号 | JP1999274656A |
著作权人 | ROHM CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体発光素子 |
英文摘要 | 【目的】 ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。 【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。 |
公开日期 | 1999-10-08 |
申请日期 | 1994-09-14 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74949] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ROHM CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尺田 幸男. 半導体発光素子. JP1999274656A. 1999-10-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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