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半導体発光素子

文献类型:专利

作者尺田 幸男
发表日期1999-10-08
专利号JP1999274656A
著作权人ROHM CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子
英文摘要【目的】 ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。 【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。
公开日期1999-10-08
申请日期1994-09-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74949]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ROHM CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
尺田 幸男. 半導体発光素子. JP1999274656A. 1999-10-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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