半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐原 健志; 成井 啓修; 土居 正人 |
| 发表日期 | 1994-11-08 |
| 专利号 | JP1994314843A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ上に形成された構成の半導体レーザにおいて、その出射光のケラレを回避して装置への組み込みを容易とし、高い歩留りをもって構成し得る半導体レーザを提供する。 【構成】 リッジ2が形成された基板1の上に、リッジ2を覆って全面的に少なくとも第1導電型のクラッド層3、活性層4、第2導電型のクラッド層5、電流ブロック層7及びコンタクト層9をエピタキシャル成長して、少なくともリッジ2の両側の溝2Aの底面からのリッジ2上の活性層4の高さに対して、リッジから離間した位置におけるコンタクト層9の上面の溝2Aの底面からの高さを大として構成する。 |
| 公开日期 | 1994-11-08 |
| 申请日期 | 1993-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74954]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐原 健志,成井 啓修,土居 正人. 半導体レーザ. JP1994314843A. 1994-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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