半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中條 直樹; 佐野 日隅; 小泉 玄太; 鈴木 良治; 池上 久也; 皆川 俊一; 酒井 勝彦 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167198A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造が簡単で寿命の長い半導体発光素子及びその製造方法を提供することを可能とする。 【構成】 選択的にメサストライプ9を形成した半導体基板1上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の電流狭窄層2と、第1クラッド層3と、活性層4と、第2クラッド層5の各層を順次積層した構造において、電流狭窄層2をメサストライプの凸部9を除く領域に積層させ、かつ活性層4がメサストライプの凸部9の直上でたわみなく平板状であることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中條 直樹,佐野 日隅,小泉 玄太,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993167198A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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