半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199783A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子において、発光波長の短波長化、低閾値化、高温度特性化等の特性を大幅に向上させること。 【解決手段】 GaAs等の基板に格子整合したワイドギャップのMgZnCdS層あるいはMgZnCdSSe層を半導体発光素子に適用してキャリアの閉じ込め効率を増大させ、活性層にウエル層とバリア層のVI族組成を同一にして高品質化を図った量子井戸構造あるいは歪補償多重量子井戸構造を用いる。具体的には、GaAs基板あるいはZnSe基板に格子整合した少なくとも1つのZnCdSの3元混晶層あるいはMgCdSの3元混晶層あるいはMgZnCdSの4元混晶層を有する。また、ZnCdSの3元混晶層を井戸層、MgCdSの3元混晶層あるいはMgZnCdSの4元混晶層を障壁層とする量子井戸構造層を有する。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74996]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 半導体発光素子. JP1997199783A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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