化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成 |
| 发表日期 | 1999-07-21 |
| 专利号 | JP1999195841A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ等の半導体発光素子端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制し、しかも、不活性化層の拡散が起こった際にも安定に動作する半導体発光素子を、簡便な方法で実現可能とする。 【解決手段】 基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層が積層され、対向する二つの端面が共振器構造を形成してなる化合物半導体発光素子であって、該活性層は導電型がP型で、該端面にシリコンを含む不活性化層が形成されていることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-07-21 |
| 申请日期 | 1998-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75017]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 化合物半導体発光素子. JP1999195841A. 1999-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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