半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 秀幸; 宮本 昌浩; 鳥井 康介; 樋口 彰; 青木 優太; 吉田 治正; 森田 剛徳; 前田 純也; 宮島 博文 |
| 发表日期 | 2014-01-16 |
| 专利号 | JP2014007293A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】水平方向への発振を抑制することができるVCSELを提供する。 【解決手段】半導体発光素子1は、基板11、活性層21、第1のミラー部24、第2のミラー部25、絶縁領域25a、電流狭窄領域25b,25c及び発光窓部51a,51bを備える。第2のミラー部25には、凹部60,61,62が形成されている。絶縁領域25aは、プロトン注入で形成される。凹部60,61,62は、半導体積層方向からみて電流狭窄領域25b,25c間であって絶縁領域25aと重なる位置に形成される。凹部の底面25d,25e,25fと活性層21との間には、絶縁領域25aが介在する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2014-01-16 |
| 申请日期 | 2012-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75021]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 秀幸,宮本 昌浩,鳥井 康介,等. 半導体発光素子. JP2014007293A. 2014-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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