半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大野启 |
| 发表日期 | 2008-03-05 |
| 专利号 | CN101136535A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种使用氮化物半导体等六方晶体系的半导体材料且具有结构稳定的解理面的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括衬底(11)及形成在该衬底上的半导体层层叠体(12)的一部分被切割而成的、具有与导波部(23a)相交叉方向上的两个芯片端面(13)和与该导波部平行方向上的两个芯片侧面(14)的芯片。在这两个芯片端面中的至少一个的解理面(13a)的两侧区域中芯片的一部分被切掉，分别形成有露出与该芯片端面接触的第一壁面(31a)及与该芯片侧面接触的第二壁面(31b)的缺口部(31)，这两个缺口部中的至少一个的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向所成的角度θ在10度以上且40度以下。 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 申请日期 | 2007-08-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野启. 半导体激光装置及其制造方法. CN101136535A. 2008-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。