面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 2007-12-20 |
| 专利号 | JP2007329193A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造中の基板またはウエハをESD等の大電流から保護することができる面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 VCSELは、GaAs基板100上に、n型の第下部DBR104、活性層106、p型の上部DBR108、およびp型のコンタクト層110を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Pとパッド形成領域Qとが半導体層に形成された溝114によって分離されている。ポスト構造Pのコンタクト層110上にコンタクト電極120が形成され、パッド形成領域Qにコンタクト電極120と電気的に接続されるパッド電極130が形成されている。さらに、パッド形成領域Qに、ESD用の導電部Rが形成されている。導電部Rは、コンタクト層110上に形成された金属層140を有し、金属層140の露出面積は、コンタクト電極の露出面積よりも大きい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-12-20 |
| 申请日期 | 2006-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75029]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2007329193A. 2007-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。