氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 狩野隆司 |
| 发表日期 | 2011-10-05 |
| 专利号 | CN102208754A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体激光元件，其具备：由氮化物系半导体构成的活性层；和形成于该活性层上且由氮化物系半导体构成的p型包覆层。而且，p型包覆层内的活性层侧区域的折射率低于p型包覆层内的活性层侧相反侧区域的折射率。 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 申请日期 | 2011-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75058]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狩野隆司. 氮化物半导体激光元件. CN102208754A. 2011-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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