氮化物半导体激光器元件
文献类型：专利
| 作者 | 道上敦生; 森住知典; 高桥祐且 |
| 发表日期 | 2008-09-03 |
| 专利号 | CN101257186A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。 |
| 公开日期 | 2008-09-03 |
| 申请日期 | 2008-02-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75075]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 道上敦生,森住知典,高桥祐且. 氮化物半导体激光器元件. CN101257186A. 2008-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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