半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田代贺久; 川津善平; 西口晴美; 八木哲哉; 岛显洋 |
| 发表日期 | 2002-07-17 |
| 专利号 | CN1359179A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。 |
| 公开日期 | 2002-07-17 |
| 申请日期 | 2001-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田代贺久,川津善平,西口晴美,等. 半导体激光装置及其制造方法. CN1359179A. 2002-07-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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