半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 小矶武; 藤本毅 |
| 发表日期 | 2005-06-01 |
| 专利号 | CN1204665C |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡部分及第二电流阻挡部分，所述第一电流阻挡部分被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端面与对面的所述装置后端面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡部分被构成以便于横穿于前端面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡部分和所述第二电流阻挡部分由同一层组成。因此，在具有简易构成结构的面附近提供有一个电流阻挡部分结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的面COD等级及长期连续工作的高可靠性。 |
| 公开日期 | 2005-06-01 |
| 申请日期 | 2001-09-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75128]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小矶武,藤本毅. 半导体激光器装置. CN1204665C. 2005-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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