面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 崇; 山本 将央; 吉川 昌宏 |
| 发表日期 | 2009-10-15 |
| 专利号 | JP2009238815A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】素子抵抗を低減させ、光出力を向上させることができる面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】VCSEL10は、基板12と、n型の下部DBR14と、活性領域16と、p型の上部DBR18とを含む。下部DBR14はさらに、光閉じ込めとして機能する酸化層40と、酸化層40と活性領域16との間に高い不純物濃度の電流経路層60とを有する。上部DBR18は、電流狭窄として機能する酸化層50を有している。下部電極22から注入されたキャリアは、酸化領域42によって囲まれた非酸化領域46による電流経路K1に加えて、酸化領域42を回り込むような電流経路K2が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-10-15 |
| 申请日期 | 2008-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75136]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 崇,山本 将央,吉川 昌宏. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP2009238815A. 2009-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。