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半导体激光器及其制作方法

文献类型:专利

作者木户口勲; 足立秀人; 熊渕康仁; 鬼头雅弘; 夈雅博
发表日期1998-08-05
专利号CN1189927A
著作权人松下电器产业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器及其制作方法
英文摘要一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层,这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构,使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1< W2,并且该宽度沿着腔方向从值W2减小到值W1,值W2约为2μm或较大。
公开日期1998-08-05
申请日期1997-04-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75142]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下电器产业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
木户口勲,足立秀人,熊渕康仁,等. 半导体激光器及其制作方法. CN1189927A. 1998-08-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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