半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 横山毅; 鹿岛孝之; 牧田幸治 |
| 发表日期 | 2009-04-01 |
| 专利号 | CN101399431A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。 |
| 公开日期 | 2009-04-01 |
| 申请日期 | 2008-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75168]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横山毅,鹿岛孝之,牧田幸治. 半导体激光装置及其制造方法. CN101399431A. 2009-04-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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