半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 小林隆二; 菅生繁男 |
| 发表日期 | 2008-07-16 |
| 专利号 | CN101223679A |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体发光元件。两波长半导体激光器1包括n－型GaN衬底101、布置在n－型GaN衬底101的预定表面上的n－型GaAs衬底201、设置在n－型GaN衬底101的表面之一上并包括多量子阱有源层105的蓝－紫色激光器100，以及设置在n－型GaAs201的表面之一上并包括多量子阱有源层205的红色激光器200。蓝－紫色激光器100和红色激光器200发射具有彼此不同波长的激光束。设置蓝－紫色激光器100和红色激光器200使得它们的空腔长度方向几乎彼此平行。蓝－紫色激光器100的空腔长度短于红色激光器200的空腔长度。 |
| 公开日期 | 2008-07-16 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林隆二,菅生繁男. 半导体发光元件. CN101223679A. 2008-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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