半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 川口真生; 油利正昭 |
| 发表日期 | 2009-10-14 |
| 专利号 | CN101558535A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。 |
| 公开日期 | 2009-10-14 |
| 申请日期 | 2008-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75188]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川口真生,油利正昭. 半导体激光装置. CN101558535A. 2009-10-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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