半导体装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野泽和利; 上田哲三; 上田大助 |
| 发表日期 | 2004-03-31 |
| 专利号 | CN1485963A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。 |
| 公开日期 | 2004-03-31 |
| 申请日期 | 2003-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野泽和利,上田哲三,上田大助. 半导体装置的制造方法. CN1485963A. 2004-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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