半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 国次恭宏; 松岡裕益; 中川康幸; 西口晴美 |
| 发表日期 | 2004-10-27 |
| 专利号 | CN1540820A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于40％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。 |
| 公开日期 | 2004-10-27 |
| 申请日期 | 2004-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国次恭宏,松岡裕益,中川康幸,等. 半导体激光器装置. CN1540820A. 2004-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。