半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 高濑祯 |
| 发表日期 | 2005-10-26 |
| 专利号 | CN1225067C |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器，该激光器在p-包层与n-包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p-包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p-包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。 |
| 公开日期 | 2005-10-26 |
| 申请日期 | 2003-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高濑祯. 半导体激光器. CN1225067C. 2005-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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