垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正 |
| 发表日期 | 2014-10-23 |
| 专利号 | JP2014199897A |
| 著作权人 | 新科實業有限公司 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】低次モードの発振を抑制し、かつレーザ光の放射角度を限定することができるVCSELを提供する。 【解決手段】頂部分布ブラッグ反射鏡3を覆う保護膜6は、活性層4の中心点を半導体多層膜20の積層方向に投影して得られる保護膜上の投影点6dを含む中央領域6bと、中央領域の周囲に位置する周囲領域6aと、を有し、中央領域は周囲領域に対しレーザ光の出射方向Dに突き出した凸部6cを有している。レーザ光の真空中での波長をλ、中央領域における保護膜の膜厚をdc、周囲領域における保護膜の膜厚をdp、保護膜の屈折率をn(ただし、空気の屈折率<屈折率n<頂部分布ブラッグ反射鏡の屈折率)とし、Nを自然数、Mを0または自然数としたときに、dp×n=(N/2)×λ、dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λの関係にある。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2014-10-23 |
| 申请日期 | 2013-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75236]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新科實業有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正. 垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ. JP2014199897A. 2014-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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