氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 太田征孝; 伊藤茂稔; 津田有三; 麦华路巴武吕; 高桥幸司 |
| 发表日期 | 2011-06-01 |
| 专利号 | CN102084560A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。 |
| 公开日期 | 2011-06-01 |
| 申请日期 | 2009-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田征孝,伊藤茂稔,津田有三,等. 氮化物半导体激光元件. CN102084560A. 2011-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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