半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内邦生; 久纳康光; 畑雅幸 |
| 发表日期 | 2011-01-26 |
| 专利号 | CN101960683A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，得到一种可抑制在活性层附近的包层产生裂缝的半导体激光元件。该半导体激光元件(100)具备：第一半导体元件部(120)、与第一半导体元件部接合的支承基板(10)，第一半导体元件部具备：谐振器；在与谐振器延伸的第一方向(B方向)交叉的第二方向(A方向)具有第一宽度的第一区域(22a)；在第二方向具有拥有比形成于第一区域上的第一宽度小的第二宽度的第二区域(22b)的第一导电型第一包层(22)；形成于第一包层的第二区域上的第一活性层(23)及第二导电型第二包层(24)。 |
| 公开日期 | 2011-01-26 |
| 申请日期 | 2009-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内邦生,久纳康光,畑雅幸. 半导体激光元件及其制造方法. CN101960683A. 2011-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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