半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻; 早川功一; 佐藤智也; 佐佐木正隼; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2012-11-21 |
| 专利号 | CN101599617B |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 申请日期 | 2009-06-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻,早川功一,佐藤智也,等. 半导体激光器装置. CN101599617B. 2012-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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